Полное описание

Kim, H. Electronic and structural properties of the As vacancy on the (110) surface of GaAs / H.Kim,J.R.Chelikowsky. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2000. - 8 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 2000/115). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.7-8

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:532.6

Рубрики:
Галлий, арсениды -- Поверхностные явления

Кл.слова (ненормированные): ГАЛЛИЙ
Доп. точки доступа:
Chelikowsky, J.R.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17401/2000/115)

Шифр в сводном ЭК: 03fbfbfd7c5bd421e6c3405926075900

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽