Полное описание
> Лундин, В. В. Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. В. Лундин. - СПб, 1998. - 19 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг. :Рос.АН. Физико-техн. ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 16-19(21 назв.)
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322:539.216.2(043) | |
47.33 | 621.315.592.9(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР99-87)>
Шифр в сводном ЭК: 03c75749561ceeede01ecc6030be7699
Заказ фрагмента документа ₽