Полное описание
> Otterbach, W. Herstellung,Eigenschaften und Anwendungen von Dunnschichttransistoren aus amorphem Silizium fur die Grossflachenelektronik : Diss. / W.Otterbach. - Stuttgart, 1990. - 137 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.125-136
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.382.3-416(043) |
Рубрики:
Транзисторы тонкопленочные
Кл.слова (ненормированные): ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/16681)>
Шифр в сводном ЭК: 0328b1f8a1c784900c6e15646ce37389
Заказ фрагмента документа