• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Otterbach, W. Herstellung,Eigenschaften und Anwendungen von Dunnschichttransistoren aus amorphem Silizium fur die Grossflachenelektronik : Diss. / W.Otterbach. - Stuttgart, 1990. - 137 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.:с.125-136

    ГРНТИ УДК
    47.33621.382.3-416(043)

    Рубрики:
    Транзисторы тонкопленочные

    Кл.слова (ненормированные): ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/16681)

    Шифр в сводном ЭК: 0328b1f8a1c784900c6e15646ce37389



    Заказ фрагмента документа