Полное описание
>
Модель учета рельефа границы раздела Si/SiO2 наноразмерного МДП-транзистора в среде TCAD Sentaurus / Е. А. Артамонова, А. А. Голишников, Т. Ю. Крупкина [и др.]. - Текст : непосредственный // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012 (МЭС - 2012) : сб. тр. V Всерос. науч.-техн. конф., 8-12 окт. 2012 г., Москва. - М., 2012. - С. 199-202. - Библиогр.: 5 назв.
(Шифр в БД Ж2-12/53759)
ГРНТИ 47.14.07 + 50.51.17
Кл.слова (ненормированные): диоксид кремния
Аннотация: Рассмотрены эффекты, связанные с атомным рельефом на границе раздела кремний - подзатворный окисел. Проведен анализ составляющей подвижности, связанной с рассеянием на рельефе границы раздела Si/SiO2 в наноразмерном МДП-транзисторе. Рассмотрены особенности моделирования таких транзисторов с учетом влияния шероховатости границы раздела Si/SiO2 в среде TCAD Synopsys.
Доп. точки доступа:
Артамонова, Е.А.
Голишников, А.А.
Крупкина, Т.Ю.
Родионов, Д.В.
Чаплыгин, Ю.А.
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ПНТ (1)
Свободны: ПНТ (1)
Заказ фрагмента документа ₽