Полное описание

Исследование многослойных светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN методами рентгеноспектрального анализа и катодолюминесценции / Я. В. Домрачева, М. В. Заморянская, Т. Б. Попова, Е. Ю. Флегонтова. - Текст : непосредственный // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования = 0207-3528. - 2009. - № 8. - С. 10-15. - Библиогр.: 6 назв.
(Шифр в БД Р2871/2009/8)
ГРНТИ 29.31.23 + 47.09.43

Кл.слова (ненормированные): люминофоры
Аннотация: Результаты исследования многослойных светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN, выращенных методом MOCVD. Методика определения состава и глубины залегания квантовых ям InGaN и барьерных слоев AlGaN. Особенности их люминесценции при различной глубине многослойной светодиодной структуры.
Доп. точки доступа:
Домрачева, Я.В.
Заморянская, М.В.
Попова, Т.Б.
Флегонтова, Е.Ю.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽