Полное описание

Ковалёв, А. Н. Квантовые точки Ge/Si / А. Н. Ковалёв. - Текст : непосредственный // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов : тр. междунар. молодеж. конф. в рамках Фестиваля науки, 2 - 3 окт. 2012 г., Астрахань. - Астрахань, 2012. - С. 63-69. - Библиогр.: 2 назв.
(Шифр в БД Ж2-12/54734)
ГРНТИ 47.03.13

Кл.слова (ненормированные): германий -- кремний
Аннотация: Наноструктуры, состоящие из тонких слоев германия на кремнии, вызывают возрастающий интерес в связи с перспективой их использования в различных электронных и оптоэлектронных устройствах. В частности, одно из важных применений связано с осуществлением в таких структурах квазипрямозонной люминесценции для создания на базе кремниевой интегральной технологии излучателей в области длин волн вблизи 1,5 мкм, необходимых для оптоволоконных систем связи. Квазипрямые переходы в непрямозонных полупроводниках возможны при локализации свободных носителей заряда. Такая локализация наблюдается в многослойных гетероструктурах Ge/Si и SiGe/Si. Электроны при этом локализуются в квантовой яме (КЯ) кремния, а дырки - в КЯ германия. Другая возможность локализации связана с явлением самоорганизации на поверхности кремния под действием гетероэпитаксиальных напряжений с образованием ансамблей нанокластеров - квантовых точек. Рассмотрены процессы, протекающие при образовании упорядоченных наноразмерных структур на основе твердых растворов Si - Ge, а также их свойства.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ПНТ (1)
Свободны: ПНТ (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽