Полное описание

Исследование роста полупроводниковых силицидов кальция на Si(111) / Д. А. Безбабный, С. А. Доценко, Д. В. Фомин, Н. Г. Галкин. - Текст : непосредственный // Физика : фундаментальные и прикладные исследования, образование : материалы Всерос. молодеж. науч. конф., 29 окт. - 3 нояб. 2012 г., Благовещенск. - Благовещенск, 2012. - С. 48-52. - Библиогр.: 2 назв.
(Шифр в БД Ж2-12/53880)
ГРНТИ 47.03.05

Кл.слова (ненормированные): кремний
Аннотация: Сформированы тонкие пленки Ca₃Si₄. Показано, что для роста сплошной пленки полупроводникового силицида кальция необходимо формирование толстой пленки методом реактивной эпитаксии при температуре подложки T = 500° C.
Доп. точки доступа:
Безбабный, Д.А.
Доценко, С.А.
Фомин, Д.В.
Галкин, Н.Г.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ПНТ (1)
Свободны: ПНТ (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽