Полное описание

Торопов, Н. А. Некоторые особенности выращивания эпитаксильных слоев Ge на поверхности Si в установке МЛЭ "Катунь-100" / Н. А. Торопов, Н. Н. Бармин, А. П. Коханенко. - Текст : непосредственный // Физика твердого тела : сб. материалов XII Рос. науч. студенч. конф., 12-14 мая 2010 г., Томск. - Томск, 2010. - С. 222-224. - Библиогр.: 3 назв.
(Шифр в БД Д9-10/74496)
ГРНТИ 29.03.45 + 29.31.29

Кл.слова (ненормированные): германий -- кремний
Аннотация: Рассмотрены некоторые особенности выращивания эпитаксильных слоев германия на поверхности кремния с помощью установки молекулярно-лучевой эпитаксии "Катунь-100", собранной в Институте физики полупроводников СО РАН и запущенной в Томском государственном университете.
Доп. точки доступа:
Бармин, Н.Н.
Коханенко, А.П.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽