Полное описание
>
Dose characteristics of high-energy neutrons for radiation damage evaluation of silicon semiconductor devices / F.G.Alekseev,E.N.Savitskaya,S.A.Kharlampiev,I.A.Kurochkin. - Protvino : [s. n.], 1994. - 14 p. : il. - (Препринт / Институт физики высоких энергий(Серпухов) ; IHEP-94-65). - 240 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.382:539.16(04) |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы -- Влияние ионизирующих излучений
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковый прибор -- влияние -- ионизирующее излучение
Доп. точки доступа:
Alekseev, F.G.
Savitskaya, E.N.
Kharlampiev, S.A.
Kurochkin, I.A.
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽