Полное описание

Н/7868/ИФВЭ 92-168
Исследование GaAs-структур со встроенным p-m-переходом для создания координатно-чувствительных детекторов / А.П.Воробьев,В.В.Чмиль,А.В.Чунтонов и др. - Протвино : [б. и.], 1992. - 23 с. : ил. - (Препринт / Институт физики высоких энергий(Серпухов) ; ИФВЭ 92-168). - 260 экз. - 2 . 50 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 22-23 (18 назв.)

ГРНТИ	УДК
29.15.39	539.1.074.55(04)

Рубрики:
Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые

Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые детекторы -- ионизирующее излучение
Доп. точки доступа:
Воробьев, А.П.
Чмиль, В.В.
Чунтонов, А.В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽