Полное описание

Н/2509/Е7-94-346
Цыганов, Ю. С. On the nature of incident angle dependence of residual defect in silicon surface barrier detector / Ю.С.Цыганов,А.Н.Поляков. - Dubna : [s. n.], 1994. - 4 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е7-94-346). - 305 экз. - 90 р. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.15.39	539.1.074.55(04)

Рубрики:
Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые

Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые детекторы -- ионизирующее излучение
Доп. точки доступа:
Поляков, А.Н.
Polyakov A.N.
Tsyganov Yu.S.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽