Полное описание

Н/2509/Е14-96-245
Dielectric properties of ion implanted silicon layers / P.Zukowski,J.Partyka,P.Wegierek и др. - Dubna : [s. n.], 1996. - 6 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е14-96-245). - 300 экз. - 1248 р. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:537.226(04)

Рубрики:
Кремний -- Диэлектрические свойства

Доп. точки доступа:
Zukowski, P.
Partyka, J.
Wegierek, P.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽