• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Н/2509/Е13-99-185
    Study of the charge multiplication phenomenon is silicon epitaxial detector / Yu.G.Sobolev,V.F.Kushniruk,E.Bialkowski и др. - Dubna : [s. n.], 1999. - 6 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е13-99-185). - 340 экз. - 1 .20 р. - Текст : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    29.15.39539.1.074.55(04)

    Рубрики:
    Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые

    Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые детекторы -- ионизирующее излучение
    Доп. точки доступа:
    Sobolev, Yu.G.
    Kushniruk, V.F.
    Bialkowski, E.
    Экз-ры полностью Н/2509/Е13-99-185
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽