Полное описание

Н/11110/24-98
Study of surface and volume defects in carbon and silicon by methods of field ion and scanning tunneling microscopy / A.L.Suvorov,Yu.N.Cheblukov,N.E.Laazarev и др. - Moscow : [s. n.], 1998. - 12 p. : il. - (Препринт / Институт теоретической и экспериментальной физики(Москва) ; 24-98). - 123 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.29	621.385.032.9(04)

Рубрики:
Углерод -- Микроскопический метод исследования
Кремний -- Микроскопический метод исследования
Катоды -- Производство

Кл.слова (ненормированные): углерод -- микроскопический метод -- исследование -- кремний -- микроскопический метод -- исследование -- катод -- производство
Доп. точки доступа:
Suvorov, A.L.
Cheblukov, Yu.N.
Laazarev, N.E.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽