Полное описание
>
Исследование глубоких уровней в структурах на основе селенида цинка, полученных путем ионной имплантации элементов I и V групп, методами емкостной спектроскопии, электро- и фотолюминесценции / А.Н.Георгобиани,З.П.Илюхина,А.Д.Левит и др. - М. : [б. и.], 1990. - 30 с. : ил. - (Препринт / Физический ин-т им.П.Н.Лебедева(Москва) ; 83(1990)). - 200 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 17-19 (39 назв.)
ГРНТИ | УДК | |
31.17.15 | 546.47'231(04) |
Рубрики:
Цинк, соединения
Кл.слова (ненормированные): цинк -- соединение
Доп. точки доступа:
Георгобиани, А.Н.
Илюхина, З.П.
Левит, А.Д.
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽