Полное описание

М/9354/32(1995)
Влияние дефектов подложек полуизолирующего GaAs и переходных элементов на оптические свойства квантоворазмерных структур AlGaAs/GaAs / С.А.Казарян,А.М.Гукасян,Н.Ф.Ораевский и др. - М. : [б. и.], 1995. - 29 c. : ил. - (Препринт / Физический ин-т им.П.Н.Лебедева(Москва) ; 32(1995)). - 50 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9(04)

Рубрики:
Гетеропереходы -- Оптические свойства

Кл.слова (ненормированные): гетеропереход -- оптическое свойство
Доп. точки доступа:
Казарян, С.А.
Гукасян, А.М.
Ораевский, Н.Ф.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽