Полное описание

М/68252/2
Нанотехнологии в электронике / под ред. Ю. А. Чаплыгина. - М. : Техносфера, 20 - . - (Мир электроники). - Текст : непосредственный.
Вып. 2. - 2013. - 686 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - 250 экз. - ISBN 978-5-94836-353-0 : Б. ц.

ГРНТИ	УДК
47.33.37	621.38-022.532(05)

Рубрики:
Наноэлектроника

Аннотация: Резонансно-туннельные гетероструктуры: физика и приборные применения. Электрофизические характеристики неоднородных диэлектриков микро- и наноэлектроники. Моделирование элементов интегральной наноэлектроники. Размерный эффект плавления в пленочных структурах наноэлектроники. Исследование наноразмерных областей методами просвечивающей электронной микроскопии. Рентгеновские методы исследования наноструктур и нанообъектов электроники. Наноструктуры на основе метода локального зондового окисления. Плазменные методы создания наноструктур. Наноструктурированные оксиды металлов в технологии устройств функциональной электроники. Функциональные некристаллические покрытия для микро- и наноэлектроники. Лазерный метод создания биосовместимых композиционных наноматериалов с углеродными нанотрубками. Микро- и наноэлектромеханические системы и устройства. Элементы наноэлектроники на основе высокотемпературного сверхпроводника состава (Ві, Pb)₂Sr₂Ca₂Cu₃O₁₀. Магниторезистивные структуры в устройствах наноэлектроники и микросистемной техники. Кремниевые биполярные гетероструктуры и проектирование СВЧ интегральных схем на их основе.
Доп. точки доступа:
Чаплыгин, Ю.А.\ред.\

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ПНТ (1)
Свободны: ПНТ (1)
Заказаны экз-ры для отделов: ФО19

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽