Полное описание
>
Фононы в структурах на основе GaAs и AlAs: численное моделирование и эксперимент / В.А.Сачков,В.В.Болотов,В.А.Володин,М.Д.Ефремов. - Новосибирск : [б. и.], 2000. - 62 с. : ил. - (Препринт / Институт сенсорной микроэлектроники(Омск) ; 2000-01). - 100 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.315.592.9:535(04) |
Рубрики:
Гетеропереходы -- Оптические свойства
Доп. точки доступа:
Сачков, В.А.
Болотов, В.В.
Володин, В.А.
Ефремов, М.Д.
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽