Полное описание

М/24446/1847
Генерация инверсий в устройствах памяти, облучаемых протонами с Ер=1ГэВ / С.В.Агеев,И.Б.Водопьянов,Ю.Б.Деревянко и др. - СПб. : [б. и.], 1992. - 16 с. : ил. - (Препринт / Петербургский ин-т ядерной физики им. Б. П. Константинова ; 1847)). - 220 экз. - Беспл. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 16 (5 назв.)

ГРНТИ	УДК
50.11.31	004.33.087.2:539.16(04)

Рубрики:
Запоминающие устройства полупроводниковые -- Влияние ионизирующих излучений

Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые запоминающие устройства -- влияние -- ионизирующее излучение
Доп. точки доступа:
Агеев, С.В.
Водопьянов, И.Б.
Деревянко, Ю.Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽