Полное описание

М/22788/405
Фотоэдс Р-П перехода на основе CdxHg1-xTe в условиях разогрева носителей заряда / З.Ф.Агаев,Н.Р.Мамедов,Г.С.Сеидли,Е.Б.Хыдырова. - Баку : [б. и.], 1991. - 11 c. : ил. - (Препринт ; 405)). - 50 экз. - Беспл. - Текст : непосредственный.
Библиогр. в конце кн. (6 назв.)

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383(04)

Рубрики:
Оптоэлектронные приборы

Доп. точки доступа:
Агаев, З.Ф.
Мамедов, Н.Р.
Сеидли, Г.С.
Хыдырова, Е.Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽