• ВХОД
  •  

    Полное описание

    М/21599/INR-829/93
    Study of GaAs structure for microstrip detectors / V.Bolotov,O.Filatov,Yu.Ivanshin и др. - Moscow : [б. и.], 1993. - 7 p. - (Препринт / Институт ядерных исследований(Москва) ; INR-829/93). - 150 экз. - Беспл. - Текст : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    29.15.39539.1.074.55(04)

    Рубрики:
    Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые

    Доп. точки доступа:
    Bolotov, V.
    Filatov, O.
    Ivanshin, Yu.
    Экз-ры полностью М/21599/INR-829/93
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽