Полное описание
>
Применение методов ионного легирования для создания р-n переходов на InSb и InAs / Н.Н.Герасименко,А.А.Гузев,Г.Л.Курышев и др. - Новосибирск : [б. и.], 1991. - 39 c. : ил. - (Препринт ; 2(1991)). - 150 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 35-38 (34 назв.)
ГРНТИ | УДК | |
47.13.33 | 621.315.592:669.046.516(04) |
Рубрики:
Полупроводники -- Ионное внедрение
Доп. точки доступа:
Герасименко, Н.Н.
Гузев, А.А.
Курышев, Г.Л.
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽