Полное описание

М/15125/6(1565)
Обзоры по электронной технике : обзорная информация / ЦНИИ "Электроника". - М. : [б. и.], 19 - . - Текст : непосредственный.
Вып. 6(1565) : Влияние дефектов границ раздела на излучательные характеристики эпитаксиальных слоев фосфида галлия : по дан.отеч.и зарубеж.печати за 1979-1989 гг. / А.П.Виданов,В.Л.Воробьев,Т.И.Ольховикова и др. - 1990. - 28 с. : ил. - 2.70 р.
Сер.6,Материалы. Библиогр.:с.25-28

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383

Рубрики:
Полупроводниковые приборы излучающие

Кл.слова (ненормированные): излучающий полупроводниковый прибор
Доп. точки доступа:
Виданов, А.П.
Воробьев, В.Л.
Ольховикова, Т.И.
"Электроника", ин-т (Москва)

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ХР (2)
Свободны: ХР (2)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽