Полное описание
>
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами / С. С. Хлудков [и др.] ; под ред. О. П. Толбанова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. - Томск : ТГУ, 2016. - 256 с. : ил. - Парал. тит. л. англ. Рез. англ. - Библиогр.: с. 228-253. - 250 экз. - ISBN 978-5-94621-556-5 : 260 р. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.382 |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы
Аннотация: В монографии изложены методы легирования GaAs примесями переходных металлов Fe, Cr,Mn и описаны его свойства. Большое внимание уделено анализу электронных процессов в сложных структурах на основе этого материала. Приведены диодов, фотоприемников УФ- и ИК- даипазонов, детекторов ионизирующих излучений, генераторов прямоугольных и мощных дельта-импульсов. Рассмотрены перспективы использования GaAs, легированного переходными металлами, в спинтронике. Для специалистов характеристики целого ряда разработанных приборов: переключающих лавинных S-в области материаловедения полупроводников.
Доп. точки доступа:
Хлудков, С.С.
Толбанов, О.П.
Вилисова, М.Д.
Прудаев, И.А.
Национальный исследовательский Томский гос. ун-т
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ПНТ (1), ХРЦ (1)
Свободны: ПНТ (1), ХРЦ (1)
Заказ фрагмента документа ₽