• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Ж2-11/51713
    537.3/Т 384
    Технология выращивания кристаллов нитрида галлия / . ; под ред. Д. Эрентраута и др.; пер. с англ. К. В. Юдинцева; под ред. В. П. Чалого, Д. М. Красовицкого. - М. : Техносфера, 2011 (Чебоксары). - 383 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - 1500 экз. - ISBN 978-5-94836-293-9 : Б. ц. - Текст : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    29.19.31537.311.322:548.5

    Рубрики:
    Галлий, нитриды -- Кристаллизация

    Аннотация: Анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе CaN. Мотивация и задачи по внедрению данной технологии в конкретные производства.
    Доп. точки доступа:
    Эрентраут, Д.\ред.\
    Экз-ры полностью Ж2-11/51713
    Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ПНТ (1), ФО24 (1)
    Свободны: ПНТ (1), ФО24 (1)



    Заказ фрагмента документа ₽