Полное описание

Д8-02/78650
Сальников, А. Н. Заряженные дислокации и точечные дефекты в кристаллах : аналит. модели взаимодействия / А.Н.Сальников,С.Г.Гестрин. - Саратов : [б. и.], 2002. - 222 с. : ил. - 250 экз. - ISBN 5-7433-1058-0 : Б. ц. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Сарат. гос. техн. ун-т. Библиогр.:с. 197-208 (247 назв.)

ГРНТИ	УДК
31.15.17	548.4

Рубрики:
Кристаллы -- Дефекты
Кристаллы -- Дислокации

Кл.слова (ненормированные): кристалл -- дефект -- кристалл -- дислокация
Доп. точки доступа:
Гестрин, С.Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ХР (2)
Свободны: ХР (2)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽