Полное описание

Д10-18/61656
Филонов, Н. Г. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия / Н. Г. Филонов, И. В. Ивонин ; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет. - Томск : Изд. Дом Том. гос. ун-та, 2018. - 362 с. : ил. - Библиогр.: с. 318-343 (326 назв.). - 100 экз. - ISBN 978-5-94621-757-6 : 260 р. - Текст : непосредственный.
На обл.: Том. гос. ун-ту 140 лет.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9
	621.382.2.018.756

Рубрики:
Гетеропереходы
Диоды импульсные

Аннотация: В монографии на основе оригинальных представлений последовательно и всесторонне обсуждены различные аспекты природы электрофизических явлений структур с барьером Шоттки на GaAs.
Доп. точки доступа:
Ивонин, И.В.
Национальный исследовательский Томский государственный университет
Томский государственный педагогический университет

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ПНТ (1), ХРЦ (1)
Свободны: ПНТ (1), ХРЦ (1)
Оглавление

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽

Просмотр издания