Полное описание

Д10-14/12952
621.383/Ч-343
Чеботарев, С. Н. Наноструктуры А^IVВ^IV и А^IIIВ^V для устройств оптоэлектроники / С. Н. Чеботарев, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова. - Ростов н/Д : Изд-во ЮНЦ РАН, 2014. - 274 с. : ил. - (Нанотехнологии и оптоэлектроника). - Библиогр.: с. 262-274 (159 назв.). - 350 экз. - ISBN 978-5-4358-0086-9 : Б. ц. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Рос. акад. наук, Юж. науч. центр

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383-022.532-03

Рубрики:
Нанооптоэлектроника -- Материалы

Аннотация: Рассмотрены закономерности получения и свойства полупроводниковых низкоразмерных гетеросистем А^IV В^IV и А^IIIВ^V. Описаны ростовая аппаратура и аналитические методики исследования оптоэлектронных наноструктур. Представлены новые экспериментальные данные по ионно-лучевой кристаллизации гетероструктур с квантовыми точками для фотоэлектрических преобразователей и фотодетекторов. Проведены оригинальные расчеты фазовых диаграмм. Показано, что жидкофазная эпитаксия остается лидирующим технологическим методом получения четырех и пятикомпонентных наногетероструктур. Изучены особенности газофазной эпитаксии и исследованы функциональные характеристики выращенных лазерных диодных структур на квантовых ямах.
Доп. точки доступа:
Лунина, М.Л.
Алфимова, Д.Л.

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ПНТ (1), ФО26 (1)
Свободны: ПНТ (1), ФО26 (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽