Полное описание
>
Арустамян, Д. А. Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. А. Арустамян. - Новочеркасск : [б. и.], 2017. - 19 с. - Библиогр.: с. 16-19 (22 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.33.33 | 621.383.51-022.532-03(043) |
Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- наногетероструктуры>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Заказ фрагмента документа ₽