Полное описание
>
Серегина, Е. В. Использование проекционного метода для математического моделирования стохастического распределения неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.13.18 / Е. В. Серегина. - М. : [б. и.], 2014. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-16 (19 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.01.77 | 537.311.322(043) |
Кл.слова (ненормированные): диффузия ннз в полупроводниках -- скорость поверхностной рекомбинации>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Заказ фрагмента документа ₽