Полное описание

Ар13-7639
Пушкарев, С. С. Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных HEMT наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. С. Пушкарев. - М. : [б. и.], 2013. - 26 с. : ил. - Библиогр.: с. 23-26. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.35.47	621.382.3.029.6(043)

Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- наногетероструктуры -- электрофизические свойства -- структура
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽