Полное описание
>
Карабешкин, К. В. Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и альфа-C: Н облучением ионами RFn средних энергий : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04, 01.04.10 / К. В. Карабешкин. - СПб. : [б. и.], 2013. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18 . - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.13.33 | 621.315.592:669.046.516(043) |
Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- ионная имплантация>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Заказ фрагмента документа ₽