Полное описание

Ар13-5808
Юзеева, Н. А. Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 меньше х 0,6) на подложках GaAs и InP : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Н. А. Юзеева. - М. : [б. и.], 2013. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-22. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323(043)

Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы -- гетероструктуры -- электронные свойства
Аннотация: Изучение влияния на зонную структуру и подвижности двумерных электронов в HEMT-структурах с квантовой ямой InGaAs на подложках GaAs и InP различных параметров HEMT-структур, таких как: ширина квантовой ямы, уровень легирования, наличие вставок InAs в квантовой яме и их толщины. Исследование влияния освещения на подвижности двумерных электронов и изучение замороженной фотопроводимости в HEMT-структурах с квантовой ямой InGaAs.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽