Полное описание

Ар13-14631
Лошкарев, И. Д. Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. Д. Лошкарев. - Новосибирск : [б. и.], 2013. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-18. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9(043)

Кл.слова (ненормированные): кремниевые структуры
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽