Полное описание

Ар12-21716
Юрасов, Д. В. Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Д. В. Юрасов. - Н. Новгород : [б. и.], 2012. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-23 . - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9-047.84(043)

Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые гетероструктуры -- эпитаксия -- селективное легирование -- донорные примеси
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽