Полное описание

Ар12-12615
Шашкин, И. С. Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации : автореф. дис. ... канд. фз.-мат. наук : 01.04.10 / И. С. Шашкин. - СПб. : [б. и.], 2012. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.35.31	621.373.826.038.825.5(043)

Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- оптическая мощность
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽