Полное описание
>
Пащенко, А. С. Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. С. Пащенко. - Ставрополь : [б. и.], 2012. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (13 назв.). - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
44.41.35 | 621.383.51-047.84(043) |
Кл.слова (ненормированные): фотовольтаика -- солнечные батареи -- материалы
Аннотация: Разработка физических основ получения методом ионно-лучевого осаждения фотоактивных материалов и структур на основе Si и InAs и исследование их свойств. >
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Заказ фрагмента документа ₽