Полное описание
>
Еганова, Е. М. Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3 : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.10 / Е. М. Еганова. - М. : [б. и.], 2011. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-20 (21 назв.). - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322:539.216.2(043) |
Кл.слова (ненормированные): халькогенидные стеклообразные полупроводники -- полупроводниковые материалы -- электрический пробой>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Заказ фрагмента документа ₽