Полное описание
>
Блошкин, А. А. Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/SI с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.01.10 / А. А. Блошкин. - Новосибирск : [б. и.], 2011. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-15 (10 назв.). - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.315.592.9(043) |
Кл.слова (ненормированные): многослойные гетероструктуры -- электронные структуры -- квантовые точки -- экспериментальные методы -- математическое моделирование
Аннотация: Построение электронной структуры многослойных напряженных гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками II-го типа на основе экспериментальных методов и методов математического моделирования. >
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Заказ фрагмента документа ₽