Полное описание

Ар10-4193
Рогожин, А. Е. Свойства многослойных затворных структур МОП нанотранзисторов, на основе силицидов и диэлектриков с высоким "эпсилон", полученных методами магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / А. Е. Рогожин. - М. : [б. и.], 2009. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-24. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323-022.532(043)

Аннотация: Формирование слоев подзатворных диэлектриков на основе диоксидов гафния и циркония. Разработка структуры МОП транзистора с длиной канала менее 20 нм, обладающего высокими электрофизическими характеристиками, которая может быть сформирована с помощью фотолитографии с длиной волны менее 300 нм.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽