Полное описание

Ар10-21197
Сизов, В. С. Особенности формирования InGaN(In, Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. С. Сизов. - СПб. : [б. и.], 2010. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-23. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383.52-047.84(043)

Аннотация: Исследование оптических, транспортных и структурных свойств квантоворазмерных гетероструктур с активной областью InGaN/(Al, In)GaN различного дизайна, предназначенных для создания эффективных светодиодных приборов видимого диапазона.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽