Полное описание
>
Алтухов, А. А. Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2 сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06, 05.11.14 / А.А. Алтухов. - М. : [б. и.], 2005. - 25 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-25(37 назв.). - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.13.11 | 621.3.049.76.002(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Заказ фрагмента документа ₽