Полное описание
>
Ивкин, А. Н. Исследование полупроводниковых эпитаксиальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. Н. Ивкин. - СПб : [б. и.], 1998. - 16 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 16(7 назв.)
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322:539.216.2(043) | |
47.33 | 621.315.592.9(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Заказ фрагмента документа ₽