Полное описание
>
Карфул Ризек. Поведение глубоких центров в Ga As при лазерном облучении барьеров Шоттки : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Карфул Ризек. - СПб : [б. и.], 1992. - 16 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Санкт-Петербург.гос.техн.ун-т. Библиогр.: с. 15-16(2назв.).
ГРНТИ | УДК | |
47.29 | 621.382.2.018.756(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Копия: мкфш. Шифр МФ
Заказ фрагмента документа ₽