Полное описание
>
Тигишвили, М. Г. Характеристики радиационных дефектов в GaAs,возникающих в результате имплантации селена : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / М. Г. Тигишвили. - М. : [б. и.], 1992. - 19 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Рос.АН,Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева. Библиогр.: с. 18(5 назв.).
ГРНТИ | УДК | |
47.09.29 | 621.315.592.002(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Копия: мкфш. Шифр МФ
Заказ фрагмента документа ₽