Полное описание

АР11-30770
Глотов, А. В. Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе А3В5 : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. В. Глотов. - Воронеж : [б. и.], 2011. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 16 (7 назв.). - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.01.77	621.315.592.9(043)

Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые гетероструктуры -- методы исследования
Аннотация: Исследование особенностей атомного и электронного строения, оптических свойств полупроводниковых гетероструктур на основе тройных твердых растворов GaIniP и AlGaAs, легированных редкоземельными элементами и элементами четвертой группы - углеродом и кремнием. Выявление технологических условий роста, позволяющих получить наиболее согласованные по параметрам гетероструктуры.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽