Полное описание
>
Бейсенханов, Н. Б. Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx, синтезированных различными методами : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.01 / Н. Б. Бейсенханов. - Алма-Ата : [б. и.], 2011. - 31 с. : ил. - Библиогр.: с. 26-31 (51 назв.). - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.13 | 621.38-416(043) |
Кл.слова (ненормированные): пленочная электроника -- тонкие пленки -- кристаллизация -- микроструктура -- фазовый состав
Аннотация: Исследование особенностей процесса кристаллизации, микроструктуры и фазового состава слоев SiCx (х = 0,03-1,4), синтезированных многократной имплантацией ионов углерода различных энергий в кремний; комплексное исследование оптических и электрофизических свойств, микроструктуры и фазового состава тонких пленок SnOx, синтезированных методами золь-гель технологии, магнетронного реактивного распыления и ионно-лучевого распыления, модифицированных различными условиями термической и плазменной обработок. >
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Заказ фрагмента документа ₽