Полное описание
>
Шайблер, Г. Э. Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Г. Э. Шайблер. - Новосибирск : [б. и.], 2001. - 18 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 16-18
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.315.592.9:535(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Заказ фрагмента документа ₽