Полное описание
>
Неустроев, Е. П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких ( 1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Е. П. Неустроев. - Новосибирск : [б. и.], 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : АН РФ. Сиб. отд-ние. Объед. ин-т физики полупроводников. Библиогр.:с. 16-17
ГРНТИ | УДК | |
47.13.11 | 621.315.592.3(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Заказ фрагмента документа ₽