Полное описание
>
Zhang, R. -Q. Growth Mechanisms and Novel Properties of Silicon Nanostructures from Quantum-Mechanical Calculations / R. -Q. Zhang. - Electronic text data. - Berlin [etc.] : Springer-Verl., 2014. - (SpringerBriefs in molecular science, ISSN 2191-5415). - URL: https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-642-40905-9. - Загл. с экрана. - ISBN 978-3-642-40905-9.
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322-022.532 |
Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- кремниевые наноструктуры -- механизм роста -- квантово-механические вычисления>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ПНТ (1)
Свободны: ПНТ (1)
https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-642-40905-9
Заказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания